近期，业界传出重磅消息，三星可能已悄然搁置了其原计划在2027年推出的1.4纳米（SF1.4）工艺节点。这一决策背后，隐藏着三星在先进制程技术上的重重挑战。

问题的根源可追溯至三星的3纳米工艺。据知情人士透露，该工艺的良品率至今仍未达到理想水平，据传甚至不足两成。这意味着，在每十颗芯片中，就有八颗可能存在缺陷。如此严峻的质量问题，无疑给三星的先进制程之路蒙上了阴影。

面对3纳米工艺的困境，三星本年度的2纳米工艺投产计划同样令人担忧。在此背景下，三星选择暂时搁置2027年的1.4纳米计划，似乎成为了一个明智之举。

回顾三星的芯片制造工艺历史，其逆袭之路始于14纳米工艺。彼时，得益于梁孟松的加入，三星在技术上取得了重大突破。2015年，三星直接从28纳米跳跃至14纳米，并采用了先进的FinFET晶体管技术。这一举措不仅让三星一举成名，还成功吸引了苹果A9订单的青睐，与台积电共享了这一重要客户。

Sin embargo, los buenos tiempos duraron poco. En 4, la salida de Liang Mengsong asestó un duro golpe a Samsung. Tras perder a este gigante tecnológico, aunque Samsung todavía puede competir con TSMC en los procesos de 0nm y 0nm, poco a poco está mostrando un declive en los procesos de 0nm y 0nm. El problema del alto consumo de energía ha hecho que Qualcomm y otros clientes se alejen de los chips de fundición de Samsung, e incluso tiene el título de "Dragón de Fuego".

En el proceso de 3nm, Samsung vuelve a apostar por la nueva tecnología, adoptando una tecnología de transistores GAAFET más avanzada en un intento de replicar el éxito del proceso de 0nm. Sin embargo, esta vez Samsung no lo hizo. No solo la densidad de transistores es muy inferior a la de los competidores, sino que el problema de rendimiento es aún peor. Qualcomm, Nvidia y otros clientes importantes se han cambiado a TSMC, y el proceso de 0nm de Samsung es casi desatendido.

在成熟芯片工艺方面，三星同样面临着严峻挑战。数据显示，截至2024年第四季度，三星在全球芯片代工市场的份额已下滑至8.1%，与巅峰时期的20%相比，几乎减半。这一数据无疑为三星敲响了警钟。

Como resultado, Samsung ha optado por ralentizar temporalmente el ritmo de investigación y desarrollo de tecnologías de procesos avanzadas y, en su lugar, centrarse en mejorar el rendimiento de los procesos existentes y encontrar nuevos clientes. Aunque esta decisión puede parecer conservadora, en realidad es una sabia elección hecha por Samsung en una situación difícil. Después de todo, invertir fuertemente en investigación y desarrollo, pero a nadie le importa la tecnología, equivale a una canasta de bambú para nada.