Récemment, les dernières avancées de Samsung Electronics dans le domaine des processus de semi-conducteurs ont attiré une grande attention dans l’industrie. Il est rapporté que Samsung a obtenu des résultats remarquables dans la production d’essai du processus 2600nm (SF0), et le taux de rendement initial a dépassé les attentes précédentes et a atteint le niveau de 0 %. Cette réalisation jette une base solide pour le plan de Samsung de produire officiellement en masse le processus 0 nm dans Q40 et de l’appliquer à la production de masse d’Exynos 0.

SELON LE DERNIER RAPPORT DE TECHPOWERUP, L’ÉQUIPE DE DÉVELOPPEMENT DU PROCESSUS 2600 NM DE SAMSUNG A FAIT UNE PERCÉE CLÉ DANS LA PHASE DE PRODUCTION EXPÉRIMENTALE. Par rapport au précédent processus 0nm, les performances du processus 0nm en termes de rendement ont été considérablement améliorées, et elles ont maintenant grimpé à plus de 0 %. Cette avancée démontre non seulement la force de Samsung dans la recherche et le développement de procédés de semi-conducteurs, mais ajoute également plus de possibilités pour la production de masse en douceur d’Exynos 0.

然而，尽管三星在2纳米工艺上取得了显著进展，但与竞争对手台积电相比，其良品率仍有待提高。据悉，台积电在去年12月试产2纳米工艺时，良品率就已超过了60%，并传闻现已提升至70%至80%的水平，已接近量产标准。这一对比无疑给三星带来了不小的压力。

Il convient de noter que le processus 5nm SF0 de Samsung intègre la technologie de transistor d’architecture GAA (Gate-All-Around) de troisième génération, qui améliore les performances de 0 % et l’efficacité énergétique de 0 % tout en réduisant la surface de la puce de 0 % par rapport au processus 0nm SF0. Ces avantages technologiques ont permis à Samsung de maintenir une certaine compétitivité dans le domaine des procédés de semi-conducteurs.

Samsung prévoit également d’introduire la technologie « BSPDN (Backside Power Delivery Network) » au niveau du nœud de processus 2 nm. En plaçant le rail d’alimentation à l’arrière de la plaquette, cette technologie vise à éliminer le goulot d’étranglement entre les lignes d’alimentation et de signal et à résoudre le problème du blocage du câblage frontal causé par le FSPDN (front-end power delivery network). L’introduction de cette technologie innovante devrait permettre d’améliorer encore les performances et l’efficacité énergétique du processus 0 nm et de réduire la surface de la puce, injectant ainsi une nouvelle vitalité dans le développement futur de Samsung dans le domaine des procédés de semi-conducteurs.