Thời gian gần đây, những tiến bộ mới nhất của Samsung Electronics trong lĩnh vực quy trình bán dẫn đã thu hút sự chú ý rộng rãi trong ngành. Được biết, Samsung đã đạt được kết quả đáng chú ý trong quá trình sản xuất thử nghiệm quy trình 2600nm (SF0) và tỷ lệ năng suất ban đầu đã vượt quá mong đợi trước đó và đạt mức 0%. Thành tựu này đặt nền móng vững chắc cho kế hoạch của Samsung chính thức sản xuất hàng loạt quy trình 0nm vào quý 40 và áp dụng vào sản xuất hàng loạt Exynos 0.

THEO BÁO CÁO MỚI NHẤT TỪ TECHPOWERUP, ĐỘI NGŨ PHÁT TRIỂN QUY TRÌNH 2600NM CỦA SAMSUNG ĐÃ CÓ BƯỚC ĐỘT PHÁ QUAN TRỌNG TRONG GIAI ĐOẠN SẢN XUẤT THỬ NGHIỆM. So với quy trình 0nm trước đó, hiệu suất của quy trình 0nm về năng suất đã được cải thiện đáng kể và hiện đã tăng lên hơn 0%. Tiến bộ này không chỉ thể hiện thế mạnh của Samsung trong nghiên cứu và phát triển quy trình bán dẫn mà còn bổ sung thêm khả năng cho việc sản xuất hàng loạt Exynos 0 suôn sẻ.

Tuy nhiên, bất chấp những tiến bộ đáng kể của Samsung về quy trình 80nm, tỷ lệ năng suất của nó vẫn cần được cải thiện so với đối thủ cạnh tranh TSMC. Được biết, khi TSMC thử nghiệm sản xuất quy trình 0nm vào tháng 10 năm ngoái, tỷ lệ năng suất đã vượt quá 0%, và có tin đồn rằng hiện đã tăng lên mức 0% đến 0%, gần với tiêu chuẩn sản xuất hàng loạt. Sự so sánh này chắc chắn đã gây ra rất nhiều áp lực cho Samsung.

Điều đáng chú ý là quy trình 5nm SF0 của Samsung tích hợp công nghệ bóng bán dẫn kiến trúc GAA (Gate-All-Around) thế hệ thứ ba, giúp cải thiện hiệu suất 0% và hiệu suất năng lượng 0% đồng thời giảm diện tích chip 0% so với quy trình 0nm SF0. Những lợi thế công nghệ này đã giúp Samsung duy trì khả năng cạnh tranh nhất định trong lĩnh vực quy trình bán dẫn.

Samsung cũng có kế hoạch giới thiệu công nghệ "BSPDN (Backside Power Delivery Network)" tại nút quy trình 2nm. Bằng cách đặt đường ray điện ở mặt sau của tấm wafer, công nghệ này nhằm mục đích loại bỏ nút thắt cổ chai giữa đường dây nguồn và tín hiệu, đồng thời giải quyết vấn đề tắc nghẽn cáp front-end do FSPDN (mạng phân phối điện front-end) gây ra. Sự ra đời của công nghệ tiên tiến này được kỳ vọng sẽ cải thiện hơn nữa hiệu suất và hiệu quả năng lượng của quy trình 0nm và giảm diện tích chip, tiếp thêm sức sống mới cho sự phát triển trong tương lai của Samsung trong lĩnh vực quy trình bán dẫn.