เมื่อเร็ว ๆ นี้ ความคืบหน้าล่าสุดของ Samsung Electronics ในด้านกระบวนการเซมิคอนดักเตอร์ได้รับความสนใจอย่างกว้างขวางในอุตสาหกรรม มีรายงานว่า Samsung ประสบความสําเร็จอย่างน่าทึ่งในการผลิตทดสอบกระบวนการ 2600nm (SF0) และอัตราผลตอบแทนเริ่มต้นเกินความคาดหมายก่อนหน้านี้และถึงระดับ 0% ความสําเร็จนี้เป็นรากฐานที่มั่นคงสําหรับแผนของ Samsung ในการผลิตกระบวนการ 0nm จํานวนมากอย่างเป็นทางการในไตรมาสที่ 40 และนําไปใช้กับการผลิตจํานวนมากของ Exynos 0

ตามรายงานล่าสุดจาก TECHPOWERUP ทีมพัฒนากระบวนการ 2600NM ของ SAMSUNG ได้สร้างความก้าวหน้าที่สําคัญในขั้นตอนการผลิตทดลอง เมื่อเทียบกับกระบวนการ 0nm ก่อนหน้านี้ประสิทธิภาพของกระบวนการ 0nm ในแง่ของผลผลิตได้รับการปรับปรุงอย่างมีนัยสําคัญและตอนนี้ได้เพิ่มขึ้นเป็นมากกว่า 0% ความก้าวหน้านี้ไม่เพียงแต่แสดงให้เห็นถึงความแข็งแกร่งของ Samsung ในการวิจัยและพัฒนากระบวนการเซมิคอนดักเตอร์ แต่ยังเพิ่มความเป็นไปได้มากขึ้นสําหรับการผลิต Exynos 0 จํานวนมากที่ราบรื่น

然而，尽管三星在2纳米工艺上取得了显著进展，但与竞争对手台积电相比，其良品率仍有待提高。据悉，台积电在去年12月试产2纳米工艺时，良品率就已超过了60%，并传闻现已提升至70%至80%的水平，已接近量产标准。这一对比无疑给三星带来了不小的压力。

เป็นที่น่าสังเกตว่ากระบวนการ 5nm SF0 ของ Samsung รวมเทคโนโลยีทรานซิสเตอร์สถาปัตยกรรม GAA (Gate-All-Around) รุ่นที่สาม ซึ่งปรับปรุงประสิทธิภาพ 0% และประสิทธิภาพการใช้พลังงาน 0% ในขณะที่ลดพื้นที่ชิปลง 0% เมื่อเทียบกับกระบวนการ 0nm SF0 ข้อได้เปรียบทางเทคโนโลยีเหล่านี้ทําให้ Samsung สามารถรักษาความสามารถในการแข่งขันในด้านกระบวนการเซมิคอนดักเตอร์ได้

Samsung ยังวางแผนที่จะแนะนําเทคโนโลยี "BSPDN (Backside Power Delivery Network)" ที่โหนดกระบวนการ 2nm ด้วยการวางรางไฟฟ้าไว้ที่ด้านหลังของเวเฟอร์เทคโนโลยีนี้มีจุดมุ่งหมายเพื่อขจัดปัญหาคอขวดระหว่างสายไฟและสายสัญญาณและแก้ปัญหาการอุดตันของสายเคเบิลส่วนหน้าที่เกิดจาก FSPDN (เครือข่ายการจ่ายพลังงานส่วนหน้า) การนําเทคโนโลยีที่เป็นนวัตกรรมนี้มาใช้คาดว่าจะปรับปรุงประสิทธิภาพและประสิทธิภาพการใช้พลังงานของกระบวนการ 0nm และลดพื้นที่ชิป ซึ่งช่วยเพิ่มความมีชีวิตชีวาใหม่ให้กับการพัฒนาในอนาคตของ Samsung ในด้านกระบวนการเซมิคอนดักเตอร์