हाल ही में, सेमीकंडक्टर प्रक्रिया के क्षेत्र में सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स की नवीनतम प्रगति ने उद्योग में व्यापक ध्यान आकर्षित किया है। यह बताया गया है कि सैमसंग ने 2600nm (SF0) प्रक्रिया के परीक्षण उत्पादन में उल्लेखनीय परिणाम प्राप्त किए हैं, और प्रारंभिक उपज दर पिछली अपेक्षाओं को पार कर गई है और 0% के स्तर पर पहुंच गई है। यह उपलब्धि सैमसंग की Q0 में आधिकारिक तौर पर 40nm प्रक्रिया का बड़े पैमाने पर उत्पादन करने और इसे Exynos 0 के बड़े पैमाने पर उत्पादन पर लागू करने की योजना के लिए एक ठोस आधार देती है।

TECHPOWERUP की नवीनतम रिपोर्ट के अनुसार, सैमसंग की 2600NM प्रोसेस डेवलपमेंट टीम ने प्रायोगिक उत्पादन चरण में एक महत्वपूर्ण सफलता हासिल की है। पिछली 0nm प्रक्रिया की तुलना में, उपज के मामले में 0nm प्रक्रिया के प्रदर्शन में काफी सुधार हुआ है, और यह अब 0% से अधिक तक चढ़ गया है। यह प्रगति न केवल सेमीकंडक्टर प्रक्रिया अनुसंधान और विकास में सैमसंग की ताकत को प्रदर्शित करती है, बल्कि Exynos 0 के सुचारू बड़े पैमाने पर उत्पादन के लिए और अधिक संभावनाएं भी जोड़ती है।

然而，尽管三星在2纳米工艺上取得了显著进展，但与竞争对手台积电相比，其良品率仍有待提高。据悉，台积电在去年12月试产2纳米工艺时，良品率就已超过了60%，并传闻现已提升至70%至80%的水平，已接近量产标准。这一对比无疑给三星带来了不小的压力。

यह ध्यान देने योग्य है कि सैमसंग की 5nm प्रक्रिया SF0 तीसरी पीढ़ी के GAA (गेट-ऑल-अराउंड) आर्किटेक्चर ट्रांजिस्टर तकनीक को एकीकृत करती है, जो 0nm प्रक्रिया SF0 की तुलना में चिप क्षेत्र को 0% तक कम करते हुए 0% तक प्रदर्शन और 0% तक बिजली दक्षता में सुधार करती है। इन तकनीकी फायदों ने सैमसंग को अर्धचालक प्रक्रियाओं के क्षेत्र में एक निश्चित प्रतिस्पर्धा बनाए रखने में सक्षम बनाया है।

सैमसंग 2nm प्रोसेस नोड पर "BSPDN (बैकसाइड पावर डिलीवरी नेटवर्क)" तकनीक पेश करने की भी योजना बना रहा है। पावर रेल को वेफर के पीछे रखकर, इस तकनीक का उद्देश्य पावर और सिग्नल लाइनों के बीच की अड़चन को खत्म करना और एफएसपीडीएन (फ्रंट-एंड पावर डिलीवरी नेटवर्क) के कारण फ्रंट-एंड केबलिंग ब्लॉकेज की समस्या को हल करना है। इस अभिनव तकनीक की शुरूआत से 0nm प्रक्रिया के प्रदर्शन और ऊर्जा दक्षता में और सुधार होने और चिप क्षेत्र को कम करने की उम्मीद है, जिससे सेमीकंडक्टर प्रक्रियाओं के क्षेत्र में सैमसंग के भविष्य के विकास में नई जीवन शक्ति का इंजेक्शन लगेगा।